技术编号:8201501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种生长化合物半导体单晶的装置,特别是一种其产品应用于超高速集成电路和微波单片集成电路的生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置。发明内容本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种可克服现有装置的不足,生产满足超高速集成电路和微波毫米波单片集成电路制作要求的生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置。本实用新型所采用的技术方案是一种生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置,包括高压容器、高压容器内设置的坩埚和坩埚托、拉晶杆、围绕坩埚和坩埚托设置的主加热器及与主加热器相连的主电极,主加热器的外周设有保温结...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。