技术编号：8201555
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及硅多晶体熔融、结晶生长成单晶体领域，具体是一种双向气流的硅晶体生长装置。 背景技术切克劳斯基法CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化， 并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过弓I晶，放肩，转肩，等径，收尾，晶体 取出等步骤，完成晶体生长。生长单晶体的尺寸越大，对石墨热系统的要求也越高。当前应 用于硅单晶生长所用的石墨热系统的加工技术及生产规模在我国处于世界领先地位，然而 在一些生长大尺寸单晶体的石墨热系统的设计中，往往出现单晶生长过程中出现不能正常 生长，出现断棱等...
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