技术编号：8202019
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种根据独立权利要求的类型的、用于提高带有金属氧化 物晶体管的电子电路装置的与温度无关的耐压强度的方法，以及根据M权利要求的类型的一种具有至少一个金属氧化物晶体管和提高的与温度 无关的耐压强度的电路装置。背景技术唯一的附图示出了根据现有技术的金属氧化物晶体管(也简称为MOSFET)的、关于芯片温度而绘出的标准化的击穿电压的图表。可以 明显看出的是，在金属氧化物晶体管的温度降低的情况下，金属氧化物晶 体管的击穿电压同样明显降低。这提出了如下问题具有这样的金属氧化 物晶体管的整个电路装置的耐压强度在低...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。