技术编号：8202158
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及化合物半导体单晶生长用容器、化合物半导体单晶以及化合物半导体单晶的制造方法，特别是涉及可以获得位错等晶体缺陷少的优质化合物半导体单晶的化合物半导体单晶生长用容器，使用该容器制造的化合物半导体单晶，以及使用该容器的化合物半导体单晶的制造方法。背景技术 一般认为，与拉晶法相比，象利用预先配置在容器底部的晶种引发晶体生长、逐渐向上方进行结晶、最终使全部原料熔液结晶化一类的垂直晶体生长法(例如垂直布里奇曼法(VB法))，可以在较小的温度梯度下生长晶体，因而容易获得位错等晶体缺陷少的化合物半导体单晶。在作为...
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