技术编号:8202213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明是有关于一种多晶硅薄膜及其制造方法,且特别是有关于一种。背景技术 在基板上生长薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的技术,一般可区分为非晶硅(Amorphous Silicon,a-Si)工艺与低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon,LTPS)工艺,LTPS TFT与a-Si TFT的最大分别,在于其电性与工艺繁简的差异。LTPS TFT拥有较高的载流子迁移率,因此所制成的TFT能提供更充份的电流,然而其工艺上却较繁复;而a-Si TFT则反之,虽...
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