技术编号:8202607
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种加热器及加热炉管。 背景技术半导体制造工艺包括多次光刻工艺、刻蚀工艺和成膜工艺等,从而在半导体晶片 表面堆叠出有特殊结构的半导体元件。其中,成膜工艺普遍采用热氧化法、化学气相淀积 (CVD)工艺,用于形成各种薄膜。其中,热氧化法主要是炉管热氧化法,将反应气体通入高温 炉管内后,使反应气体和炉内的半导体晶片发生化学反应,在晶片表面沉积一层薄膜。该工 艺用于生长Si02、Si3N4、Si0H或多晶硅等。炉管热氧化工艺所使用的炉管(furnace)设备 一般有水平式和垂直...
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