Cz法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺的制作方法技术资料下载

技术编号:8204057

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技术领域本发明涉及一种cz法硅单晶生长炉护埚及其制造工艺,尤其是涉及一种碳一碳复合材料 和高强石墨组合的cz法硅单晶生长炉护埚及其制造工艺。背景技术半导体硅单晶,大约85%是采用直拉(Czochralski)法(简称CZ法)制造。CZ法硅单晶 生长过程为将多晶硅装入石英坩埚内,加热熔化,然后将熔硅略为降温,给予一定的过冷度 ,将一支特定晶向的硅单晶体(称做籽晶)与熔体硅接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上 提升速度,使籽晶体放肩长大至目标直径时,调整提升速度,使单晶体以恒定直径生长。生 长过程接近完成时,,通过增加晶...
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