技术编号:8204057
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种cz法硅单晶生长炉护埚及其制造工艺,尤其是涉及一种碳一碳复合材料 和高强石墨组合的cz法硅单晶生长炉护埚及其制造工艺。背景技术半导体硅单晶,大约85%是采用直拉(Czochralski)法(简称CZ法)制造。CZ法硅单晶 生长过程为将多晶硅装入石英坩埚内,加热熔化,然后将熔硅略为降温,给予一定的过冷度 ,将一支特定晶向的硅单晶体(称做籽晶)与熔体硅接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上 提升速度,使籽晶体放肩长大至目标直径时,调整提升速度,使单晶体以恒定直径生长。生 长过程接近完成时,,通过增加晶...
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