技术编号：8204527
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种多晶硅氢化炉用加热带，特别是指一种多晶硅氢化炉 用碳/碳复合材料加热带结构。背景技术多晶硅是半导体、大规模集成电路和太阳能产业的重要基础原材料，具有广阔的巿场前景。目前，制备多晶硅的主流技术为SiHCl3还原法，生成SiHCl3 的过程在氢化炉中进行，发生的主要反应为SiCl4+H2 ^ SiHCl3+HCl。 SiCU和 H2的混合气体在氢化炉中被碳/碳复合材料(CFC)加热带加热到125(TC左右时 发生上述反应。氢化炉内是在高温高压的条件下工作，这样对碳/碳复合材料加 热带的性能要求...
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