技术编号：8205092
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及碘化汞(a -Hgl2)单晶体生长技术领域，具体指一种生长碘化汞 (Hgl2)单晶体立式炉。技术背景 碘化汞晶体是II-VII族化合物半导体，单晶体结构为四方形，其点阵参数fl =4.36人，C =12.45 A。碘化汞晶体的有效原子序数大(8053)，禁带宽度大(2. 13eV)、体暗 电阻高(> 1013 Q )，电离效率高(52% )，光电线性吸收系数大，探测效率高，能量分辨率好， 对X射线、Y射线有较好的阻止本领和很高的灵敏度，能在室温下工作和保存，因此碘化汞 晶体是目前制备室温...
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