技术编号：82059
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体材料能带结构和物理性质参数的测试方法和半导体光谱技术领域，特别是半绝缘的等电子掺杂半导体高阶临界点的光谱测试方法。 背景技术半导体能带结构参数的确定，是半导体材料研究的一个重要研究方向，它对于研究半导体材料的物理性质和半导体材料在半导体器件方面的应用有重要意义。半导体能带结构上的一些临界点对半导体能带结构的确定非常重要，比如禁带宽度E0以及能量更高的一些高价临界点E1和E2等。 近几十年来，人们发表了各种调制光谱方法。调制反射光谱在吸收边以上的光谱测量中有重要作用，亦即在最低能带极值以上的...
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