技术编号:8207867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种,并且更具体地涉及能提高沟道迀移率的 半导体器件的制造方法。背景技术 近年,为了实现半导体器件更高的击穿电压、更低的损耗等,已经日益采用碳化硅 作为形成半导体器件的材料。碳化硅是一种比常规地广泛用作形成半导体器件的材料的硅 的带隙更大的宽带隙半导体。因此,通过采用碳化硅作为形成半导体器件的材料,可以实现 半导体器件更高的击穿电压、更低的导通电阻等等。 采用碳化硅作为材料的半导体器件的实例包括MOSFET(金属氧化物半导体场效应 晶体管)等等...
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