技术编号：8207872
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一般的单晶硅太阳能电池或者多晶硅太阳能电池中，为了分离通过照射太阳光线而生成的载流子，需要形成pn结。例如，使用P型硅基板作为基板的情况下，通过使磷等5族元素扩散到基板的受光面侧，在基板的受光面侧形成η型硅层，从而形成pn结。将这样地扩散到基板的杂质元素称为掺杂物。也就是说，在使用P型单晶硅基板或P型多晶硅基板作为基板的情况下，通过在700°C?1000°C左右的温度下将磷系掺杂物热扩散到基板的受光面侧，从而在基板双面的整个面上形成扩散层。然后，根据需要去...
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