技术编号：8213713
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 化学机械抛光（CMP)是目前最普遍的获得半导体材料表面平整技术。它是机械摩 擦和化学腐蚀相结合的工艺，兼顾了两者的优点，可以获得比较完美的晶体抛光表面。近年 来，半导体技术向着大尺寸硅抛光片的方向发展，同时也对表面颗粒度、几何参数、边缘及 表面的粗糙度提出了更加严格的要求。边缘抛光也是化学机械抛光，经过边缘抛光后硅片 边缘的损伤层可以像表面抛光一样被去除，得到光滑的硅片边缘，可以使硅片的以下几个 方面得到明显的改善（1)防止边缘破裂（2)防止热应力造成的...
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