技术编号：8215601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用有机气源为原料在绝缘衬底上制备超细垂直取向纳米线的方法，属于先进半导体材料制备的。背景技术直径在10纳米以下的半导体纳米线材料具有众多区别于宏观体材料的特性。比如其特有的量子尺度效应导致其禁带宽度较大；其大比表面积导致其表面效应突出，表面特性的表现甚至超过其体特性的表现。这些新奇的特性使得小尺寸的纳米线材料在众多领域具有广阔的应用前景。为此，关于小尺寸纳米线的制备和性质一直是相关领域的重要研宄课题。特别地，直径10纳米以下的小尺寸半导体纳...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。