技术编号:8215628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 以石墨烯、过渡族金属硫族化合物为代表的二维功能材料凭借独特的物理、化学 性质及其巨大的研宄价值,受到了人们的广泛关注。其中二维GaTe材料属于III - W A族化 合物半导体,具有较大的原子序数以及合适的禁带宽度,在光电子器件,辐射探测以及太阳 能电池等领域都有很高的应用价值。大面积二维GaTe材料的获得能够满足大规模集成电 路在较小的区域连续构筑多个MOSFET结构的要求,改善电子设备性能的同时进一步压缩 了成本,是实现产业化应用的前提。但是截至目前...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。