技术编号:8215670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种无氧化插层制备石墨稀的方法。背景技术石墨烯具有良好的电学、力学、光学和热学性质。理想的单层石墨烯具有超大的比表面积(2630 m2/g),是极具潜力的储能材料。石墨烯具有良好的导电性,其电子的运动速度达到了光速的1/300,远远超过了电子在一般导体中的运动速度。石墨烯具有良好的透光性,是传统ITO膜潜在替代产品。石墨烯具有良好的热学性质,利用基于微拉曼光谱技术测量得到石墨烯的热导率为3080~5150 W/m*K。石墨烯具有非常高的力学强度,...
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