技术编号:8217210
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于材料制备和分离,具体涉及运用可逆加成-断裂链转移聚合 技术合成一种Si0 2/G0表面金属离子印迹聚合物的制备方法及该印迹聚合物的应用。背景技术 随着人类社会的快速发展,特别是工业生产的高速发展,大量的污染物以不同的 形式进入了水体,超出了水体的自净能力,使得水体生态系统的功能遭到破坏,引起水体生 态环境的恶化。重金属是导致水环境污染的主要污染物之一。它们通过各种途径侵入生 物圈并在生物体内蓄积,不易在代谢过程中排出体外,严重危及人体健康,并且...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。