技术编号：8217851
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及化学机械抛光（CMP)领域，特别涉及一种可实现硅晶片近极限抛光的 精抛组合物。背景技术 集成电路硅衬底晶片正逐渐发展到450mm直径，对加工精度、表面粗糙度、 表面缺陷、表面洁净度等提出更高的要求。按SIA的技术要求，硅片表面总厚度变化 (TTV)〈0. 2 μ m，表面粗糙度达到亚纳米级，硅片表面0. 05 μ m的颗粒少于50个/片。高度 平坦化、极低表面粗糙度、极低微观缺陷的表面成为下一代高技术电子产品制造中的共同 要求，这些要求甚至接近...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。