技术编号：8218969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。以GaN为代表的III族氮化物半导体材料是典型的第三代半导体材料。Si基氮化物可应用于超高频器件、智能电网中的高功率传输电力电子器件、高精度化学传感器等。超高频器件是制造卫星通信、雷达器件和手机基站放大器的关键；其高耐热性使之可制成传输大功率的小器件，同时耐高电压和高电流，适合智能电网中的高功率传输；氮化物材料具备相对较高的电子迀移率的同时具备较高化学惰性，可应用于高精度化学传感器；此外AlN材料热传导性良好，介电常数高，热膨胀系数与Si匹配具有很高的表面...
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