技术编号：8218972
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在氮化物中，第III族氮化物半导体，如GaN、AlGaN、AlN或InN等宽禁带半导体材 料是制备藍光到紫外光波段的半导体发光二极管（LED)、半导体激光器（LD)等光电器件的 首选材料。由于III族氮化物基材料具有电子饱和漂移速度高、介电常数小、导热性能好、 化学和热稳定性好等特点，因此广泛应用于制造高性能光电子器件、大功率电子器件W及 高频设备。 高质量的晶态氮化物薄膜是决定氮化物器件性能及可靠性的关键。然而，目前 高质量晶态氮化物薄膜生长技术均需高...
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