技术编号:8224789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。硅是一种用途最为广泛的半导体材料,在太阳电池、传感器等许多领域有巨大的工业应用。目前,在单晶硅电池中,保持最高效率(25%)的钝化发射极背部局域扩散(PERL)电池,采用的就是光刻技术制备的规则倒金字塔阵列来作为电池的表面减反结构,该电池的短路电流密度(Jsc)达到了 42.7mA/cm2。但是,目前常见的用光刻技术来制备倒金字塔阵列的方法不仅工艺复杂,成本相对较高,而且制备纳米尺度的光刻掩膜版仍然比较困难,所以限制了其在大规模产业化方面及在制备纳米量级小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。