技术编号:8224810
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。微波晶体管的主要器件类型有同质结双极型晶体管(BJT)、异质结双极型晶体管(HBT)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和高电子迀移率晶体管(HEMT)等。GaN材料的禁带宽度大(Eg = 3.4eV),临界击穿场强(3.3MV/cm)较大,制作电子器件具有耐高温、高压的特点;它的电子饱和漂移速度达到2.5X107cm/s,适宜于制作高频电子器件;它与AlGaN材料形成的异质结构中可形成面密度高达113Cn...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。