技术编号:8224867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。当前的闪存产品(随机存取时间为0.12ms的闪存产品),闪存产品的阈值电压存在较大的变化。具体地说,闪存产品的阈值电压一般总体上取决于下述的两个因素第一个因素是闪存单元的字线下阈值(vtl),第二个因素是闪存单元的浮栅下阈值(Vt2)。图1和图2示意性地示出了根据现有技术的闪存单元的制造方法的相关步骤。如图1和图2所示,在硅片布置光刻胶,并去除硅片的有源区100上的光刻胶,而留下硅片的外围部分200上的光刻胶;随后对硅片的有源区100的一部分执行第一次单元...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。