技术编号：8224965
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有的半导体器件越来越多地采用异质外延，尤其是采用绝缘或高阻的衬底，在这些衬底材料上生长的器件结构多采用正装或者倒装结构。由于电极在同一边，电流的扩展特别是靠近衬底的极性层的电流扩展需要通过通过该极性层的半导体材料完成。在一些器件中，受半导体材料掺杂特性的影响，该层的电流扩展能够扩展的距离有限，在制造大面积大功率的器件时，需要特别设计电流扩展电极，如叉指状电极，占用芯片有效面积，并且电流扩展均匀性受设计影响较大。例如，在蓝宝石衬底上生长GaN基LED器件，...
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