技术编号：8236469
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体工业中集成电路的尺寸不断的缩小，对于集成电路制造的等离子刻蚀工艺来说，片间的刻蚀的稳定性成为了一个主要的考虑因素。而等离子刻蚀设备反应腔室中的沉积的反应副产物将是对工艺的漂移(例如刻蚀速率、刻蚀的形貌、刻蚀的选择性及刻蚀的均匀性等)产生非常重要影响的一个因素。具体的，随着对晶圆的刻蚀会在等离子刻蚀设备反应腔室壁上形成一些反应副产物的沉积。这种沉积的反应副产物在后续的刻蚀过程中，会放出对后面晶圆刻蚀有影响的其他气体，或者通过反应消耗掉正常刻蚀所需的...
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