技术编号:8248260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。TCO薄膜能够得以广泛应用,主要依赖于其主同的导电率和光透过度。因此很多研究者通过不同的方法来优化改良TCOS薄膜的性能。在这些薄膜中,ZnO是一种最重要的材料。但ZnO的电阻率高,电导率性能不好,为了降低ZnO薄膜的电阻率,很多传统的金属掺杂方法用来制备低电阻率的透明导电薄膜。但是传统掺杂方法制备的掺杂ZnO薄膜的光致发光峰发生了偏移,这是因为Zn原子被掺杂原子替换后改变了原来ZnO本征光学禁带宽度。困因此制备复合薄膜,使得它既保持ZnO的光致发光特性,...
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