技术编号:8248535
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。液相外延技术(LPE technique)是一种成熟的半导体薄膜生长技术。相对于分子束外延等生长方法,LPE有操作简单,生长周期短,外延生长费用低且其近热平衡态生长方式得到的外延薄膜缺陷少等优点。然而母液中不可避免携带的杂质将影响外延薄膜的质量。以InAs同质外延为例,富In母液中有Si和S两种主要的背景杂质元素,除此之外石墨舟体也将引入C、O等杂质。这些杂质或充当施主或为受主,导致了外延薄膜中载流子浓度过高。经过我们的调研发现解决该问题的办法主要有三种(...
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