技术编号：8254323
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于非晶态光学薄膜，具体设及一种非晶态光学薄膜微区应力的 测量方法，尤其设及非晶态二氧化娃薄膜应力的测量。背景技术 光学元件表面薄膜的制备一般是在强烈的非平衡物理和化学过程中完成，诸如热 蒸发、离子束瓣射、磁控瓣射、化学气相沉积等技术，薄膜的残余应力是必然存在。薄膜的残 余应力对薄膜的影响主要有两个方面；首先，当薄膜应力较大时，薄膜会从基板上起皱和脱 落；其次，在高应力状态下，基板弯曲和薄膜的双折射率效应影响到薄膜性能指标的提高。 多年来，薄膜应力...
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