技术编号：8254608
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，半导体制造业正逐渐向高运行速度、较小的器件尺寸方向发展。半导体器件的尺寸不断缩小，芯片中元件密度的不断增加，元件间距离变得越来越小，甚至小到纳米级。然而，在整个生产过程中引入元件间的痕量杂质元素可能使芯片的合格率降低。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷，例如碱金属与碱土金属(Na，K，Ca, Mg, Ba等)污染可导致元件击穿电压的降低；过渡金属与重金属(Fe，Cr，Ni，Cu，Mn，Pb等)污染可使元件的寿命缩短，或者使元件工作时的暗电流增大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。