技术编号:8256025
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。已知光电检测设备,诸如具有设置在其中的多个雪崩光电二极管(APD)的硅光电倍增管(SiPM)。通过在高于这些Aro的击穿电压的高反向偏压条件下操作Aro来以在所谓盖革(Geiger)模式的范围内驱动SiPM。在盖革模式的操作期间,APD的增益在15至16的范围内,这是非常高的,甚至可测量一个光子的微弱光。进一步地,公开了将光电检测设备和将X-射线转换为光的闪烁体层组合在一起的设备,该光电检测设备使用各自包括多个APD的转换多个像素。光电检测设备和闪烁体的组...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。