技术编号：8256607
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在集成半导体工艺中，通常都需要经过多次的光刻工序。除第一层光刻外，一般每一层光刻都需要测量套刻标记来监测光刻时与前层对准的好坏。而套刻标记通常是一个内框为10 X 10 μ m的光刻胶图形，外框为20 X 20 μ m的其他膜质构成的方框，而不论内框还是外框都需要有一个台阶差，同时都是可以同时被光学镜头检测出来。在微机电(MEMS)工艺中，首先是在第一层硅片上做一些结构图形，然后将第二层硅片和第一层硅片键合，接着再在第二层硅片上做结构图形。但是我们需要在第...
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