技术编号:8261369
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。SRAM (Static random access memory,静态随机存储器)由于具有结构简单、存储速度快等优点,因此,常被用作高性能微处理器的高速缓存单元。其中,静态随机存储器的核心为存储单元,而传统的存储单元大多采用6个晶体管。传统的采用6个晶体管的存储单元,如图1所示,通过NMOS驱动管NI和N2、PM0S负载管 Pl 和 P2 构成的互补 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化...
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