技术编号:8261386
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,熔丝电路已广泛地被用于存储器装置中,作为可一次性编程(one timeprogramming ;0ΤΡ)的存储单元。当流过熔丝的电流大于临界值时,熔丝烧断(blow)且熔丝的阻抗值增加。因此,熔丝的原始阻抗值及增加后的阻抗值分别表示为两个逻辑状态,例如以低阻抗状态及高阻抗状态分别表示逻辑O及逻辑I的状态。然而,传统的熔丝电路在编程时,熔丝经由烧录(烧断)后,便无法再次烧录,故无法执行多次性编程,亦无法获得多状态的阻抗值。发明内容有鉴于此,本发明实施...
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