技术编号：8262091
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅SiC作为宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大，击穿电场高，热导率大，电子饱和漂移速度高，抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，成为继锗、硅、砷化镓之后制造新一代微电子器件和电路的关键半导体材料。SiC/Si和AlGaN/GaN等其他异质结，是传统的通过化学组分变化形成，而碳化硅多型异质结是通过化学成分不变，晶型突变来制备。因此碳化硅多晶型的异质结具有以下优点I)具有可忽略的热匹配和晶格匹配3C-SiC和6H-SiC在(0001)面的晶格失...
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