技术编号：8262094
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件的生产中，一般光刻过程是用照相复印的方法，将光刻掩模的图形精确地复印到涂在待刻蚀材料等薄层表面的光刻胶上面。然后，在抗蚀剂的保护下，对待刻蚀材料进行选择性刻蚀。从而在待刻蚀材料上得到所需的图形。但在器件制造工艺中，有些材料很难用光刻胶做掩膜，用化学试剂腐蚀；有些多层金属用不同的腐蚀液交替使用时会产生严重横向钻蚀；有些金属腐蚀液会对下层材料产生影响。以上这些难题都可以用到剥离技术来解决。剥离技术的难点就在于需要掩膜图形的稳定性好，形变小，金属易于...
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