技术编号：8262096
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅器件具有较高的耐压容量、较低的导通电阻和较好的导热性能，在航空、航天和舰艇的功率电子系统领域以及高频、高速工作领域具有广泛的应用。其中，由于欧姆接触的低比接触电阻是决定器件性能的重要因素之一，因此制作欧姆接触是碳化硅器件生产的一个重要工序。碳化硅SBD(肖特基势皇二极管)器件的工艺流程中，会通过碳化硅自身牺牲氧化在晶圆正面形成一层氧化层，作为钝化层，来提高器件耐压。由于该氧化层会同时在晶圆正面(Si面)和背面(C面)形成，并且由于碳化硅晶圆正面与背面...
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