技术编号：8262125
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 半导体装置的制造工序中，进行通过等离子体蚀刻在半导体晶圆等基板上形成微 细图案的操作。此时，存在如下情况通过等离子体蚀刻，基板上的被蚀刻材料与等离子体 蚀刻中所应用的反应气体反应，反应产物主要堆积在蚀刻而得到的图案的侧壁部。 该反应产物成为用于阻止等离子体蚀刻时对蚀刻而得到的图案的侧壁部进行蚀 刻的保护膜。另一方面，如果以该反应产物残留的状态在后续工序中进行CVD(化学气相沉 积（ChemicalVaporDeposition))膜的形成、布线形成等，贝...
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