技术编号:8262135
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor, IGBT)是由 MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为M0SFET,输出极为PNP晶体管。因此,可以把IGBT看作是MOS输入的达林顿管。IGBT既具有MOSFET器件电压驱动、高耐压且驱动简单、开关速度快的优点,同时又具有双极型器件电流能力强、且导通压降低的优点,因而在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。由于电导调制效应,IGBT具有比DMOS...
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