技术编号:8262148
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种MOSFET结构及其制造方法。更具体而言,涉及一种用于降低关态漏电流的MOSFET结构及其制造方法。技术背景随着器件越来越薄,器件关态时由带带隧穿引发的栅致漏极泄漏(GIDL)电流越来越大,它已经成为严重限制MOSFET以及FLASH存储器的问题之一。GIDL电流本身便引入了热空穴注入,它使得空穴陷落在栅氧化层中从而导致器件的不稳定性以及能导致栅氧层击穿。因此随着氧化层厚度的减小,关态氧化层的可靠性将会越来越重要,此方面已经引发了越来越多的关...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。