技术编号:8262302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种M0S晶体管和多 晶硅电阻电容的集成结构的制造方法。背景技术 如图1所不,是现有M0S晶体管和多晶娃电阻的集成结构不意图;M0S晶体管和 多晶硅电阻集成在同一硅衬底101上,在硅衬底101上形成有浅沟槽场氧102,浅沟槽场氧 102用于隔离出有源区,M0S晶体管能为NM0S晶体管和PM0S晶体管,在图1只示意了一个 M0S晶体管结构,M0S晶体管形成于有源区上方,多晶硅电阻形成在浅沟槽场氧102上方...
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