技术编号:8262393
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电力电子器件制造以及电力电子电路领域,尤其设计一种带雪崩击穿特性的AIGaN/GaN HEMTs器件的封装结构。研宄背景 GaN基半导体材料由于具有宽禁带、高电子迀移速度、高热导率、耐腐蚀,抗辐射等突出优点,在制作高温、高频、大功率电子器件方面有着独特的优势。AIGaN/GaN HTMTs (High electron mobility transisitors)器件是众多 GaN 基器件的研宄热点。由于在异质结的存在,在不掺杂的情况下会通...
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