覆晶式发光二极管元件封装结构的制作方法技术资料下载

技术编号:8262396

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请参阅图1所示,其为美国公告第US07554126号专利,其为一覆晶式发光二极管,其主要是包含一 N型半导体层I与一 P型半导体层2所构成的P-N接面,该N型半导体层I与该P型半导体层2分别通过一 N极电极3与一 P极电极4各连接一焊垫5 (solder),且该N极电极3与该P极电极4分别通过一绝缘层6 (insulat1n)的隔离而分开。该焊垫5为供与电路板7的固定电极8电性连接,以提供该覆晶式发光二极管所需的电压。如上所述的结构,其让N极电极3与P极电...
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