技术编号:8262406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 依据相关技术,陆续提出了一些新的半导体制造工艺。然而,某些问题就产生了。 例如栅极的氧化层的厚度可能减少,使得芯片变得很容易被静电放电损坏。又例如在一 特定的制造工艺中,氧化层崩溃电压(Oxide Breakdown Voltage)可能很接近结面崩溃电 压(Junction Breakdown Voltage),故传统的静电放电保护架构变得很难使用。因此,需要 一种新颖的方法以在不产生副作用的状况下加强静电放电保护的效能,尤其是使静电放电 保护架构具备...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。