技术编号：8262482
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着透明电子学的迅速发展，氧化物半导体pn结成为了研宄的热点。由于氧化物 的本征缺陷及制备技术上的限制，具有稳定的高性能P型空穴导电材料显得稀缺。SnO作为一种新兴的本征p型氧化物半导体材料，具备很大的应用潜力。目前， 针对于SnO半导体，HiroshiYanagi等采用脉冲激光法制备了一种SnO同质结，其开启 电压为0.7V，在 ±2V时整流比为25(BipolarConductioninSnOThinFilms，Hideo Hosono,Yoichi...
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