技术编号:8262511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 迄今为止,包括诸如功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的器件的现代功率 半导体器件已经通常利用硅(Si)半导体材料来制作。最近,由于碳化硅(SiC)的优异性质 而对碳化硅(SiC)功率器件进行了研宄。III族氮化物(III-N)半导体器件现在作为承载 大电流并且支持高电压并且提供非常低的导通电阻、高电压器件操作以及快速切换时间的 候选者而受到了很大关注。图1中所示的通常的III-N高电子迀移率晶体管(HEMT)包括 衬底10、位于衬底顶上的诸如...
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