技术编号:8262560
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 专利文献1中记载了p型氮化镓系化合物半导体的制作方法。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 日本特开平5-183189号公报发明内容 发明所要解决的问题 专利文献1中记载了使用由通过等离子体CVD法生长的Si02构成的膜对氮化镓 系化合物半导体进行退火的技术。 根据发明人的研究,通过等离子体CVD沉积而成的SiN、Si02、SiON等的膜具有 1X1021?lX1022cm_3左右的氢浓度,膜中的大部分氢以Si-〇H键的形式含有。Si-〇H键在 超过摄氏...
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