技术编号:8262610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,特别是涉及一种磁隧道结、其制造方法及含磁隧道结的存储单元。背景技术近年来,随着半导体技术的发展,要求半导体器件向轻、薄、短小化发展,同时也意味着半导体器件向高速、高集成度、低功率消耗方向发展。因此要对半导体器件的结构进行改进以适应现代化技术的发展需求。磁阻内存(Magnetic Random Access Memory, MRAM)由于具有高速、低电压、高密度、非易失性等优点,成为市场关注的存储器之一。MRAM是通过施加磁场,将信...
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