技术编号:8264913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有的数据驱动器一般在CMOS工艺下实现,而CMOS工艺的晶体管通常只能工作在工艺特定的电压值下,若电源电压超过工艺特定的电压值,则晶体管会工作在过压状态下,这会大大减少晶体管的使用寿命。特别的,如数据驱动器,由于其数据驱动管存在大的寄生电容,故当数据驱动管的栅极电压变化时,其寄生电容会不停的对栅极进行充放电,从而使得栅极电压的摆幅增大,导致过压问题更加严重。而实际的设计中,存在使用低压晶体管在高压下工作,以输出更高摆幅的数据的情况,此时数据驱动管必然会存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。