技术编号:8269980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。离子束蚀刻(以下还缩写为“IBE”)技术已广泛用于半导体存储器、记录装置和磁头等的加工(例如,专利文献I)。IBE技术通过向放电部输入电力来形成等离子体,然后通过向栅网施加电压以从该等离子体引出离子来形成离子束。使该离子束入射到基板上,并且该离子束主要以物理方式蚀刻基板上的材料。现有技术文献专利f献专利文献1日本特开2008-218829发明内容在上述的IBE中,由于物理蚀刻元素所涉及的比例大,因此蚀刻通过使被蚀刻材料从基板飞散来进行。由于该原因,在根据通...
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