技术编号：8269982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体基板的清洗方法以及清洗系统，可用于清洗至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板。背景技术近年，在CMOS工艺中，为了降低硅化物电阻，采用了使用N1、Co的NiS1、CoSi作为硅化物材料。但是，为了降低接合漏电流，使用了在N1、Co中加入5%?10% Pt、Pd的合金。其中，尤以使用NiPt时，值得期待其提高耐热性和抑制接合漏电流的效果。(参照专利文献1、2)在硅化工序中，将合金在Si基板上制膜后，通过实施热氧化处理使合金和Si发生反...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。